컴퓨터시스템구조론 | CHAPTER 5 복습문제 | 컴퓨터 메모리 종류와 특징, 비교 분석: DRAM, SRAM, EPROM, NAND, NOR, FRAM

 

✅ CHAPTER 5 내부기억장치

💡 1. 기억장치 셀(memory cell)의 세 가지 가장 보편적인 기능적 단자(terminal)들은 무엇인가?

• 입력 단자(Input terminal): 데이터를 기억장치 셀에 쓰기 위해 사용되는 단자이다. 
• 출력 단자(Output terminal): 기억장치 셀에서 데이터를 읽어오기 위해 사용되는 단자이다. 
• 제어 단자(Control terminal): 기억장치 셀에서 데이터의 읽기와 쓰기를 제어하기 위해 사용되는 단자이다. 

 

💡 3. 응용의 측면에서 DRAM과 SRAM의 차이는 무엇인가?

• DRAM은 캐패시터를 사용하여 정보를 저장하고, 주기적으로 충전을 해야 한다.
• SRAM은 플립플롭과 같은 회로를 사용하여 정보를 저장하고, 전력이 공급되는 한 계속 유지된다.

 

💡 4. 속도, 크기 및 가격과 같은 특성 측면에서 DRAM과 SRAM의 차이는 무엇인가?

• 속도: SRAM이 DRAM보다 빠른 속도이다.
• 밀도: DRAM이 SRAM보다 높은 밀도이다.
• 가격: DRAM이 SRAM보다 저렴한 가격이다.
• 전력 소비량: SRAM이 DRAM보다 낮은 전력 소비량이다.
• 임의 액세스: DRAM이 SRAM보다 낮은 임의 액세스 속도이다.

 

💡 5. RAM의 한 가지 형태는 아날로그로 간주되고, 다른 형태는 디지털로 간주되는 이유를 설명하라

• 이진수를 저장하고 처리하는 디지털 기술을 사용하기 때문이다.

 

💡 6. Read-mostly memory의 보편적인 형태는 어떤 것인가?

• 캐시 메모리: CPU나 다른 장치들이 자주 접근하는 데이터를 저장하는 데 사용한다. 

 

💡 7. EPROM, EEPROM 및 플래시 메모리의 차이는 무엇인가?

• EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory): 수정 및 삭제가 불가능한 반도체 칩으로, UV 조사기로 전체 칩을 지워야 데이터를 수정할 수 있다.
• EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory): 전기적으로 수정 및 삭제 가능한 반도체 칩으로, 하나씩 수정 및 삭제가 가능하다.
• 플래시 메모리(Flash Memory): EEPROM과 유사하지만, 여러 개의 블록으로 데이터를 저장하고 일괄적으로 수정 및 삭제가 가능하다.

 

💡 9. 반도체 기억장치 시스템에서 하드 결함이란 무엇인가?

• 메모리 셀의 영구적인 손상으로 인해 데이터를 저장하거나 검색할 수 없는 상태이다.
• 물리적인 손상으로 인해 발생하며, 메모리 셀의 결함은 일반적으로 주소와 관련하여 특정한 비트에 대한 문제를 야기한다.

 

💡 10. 해밍 코드에서 신드롬은 어떻게 해석되는가?

• 해밍 코드에서 신드롬은 해당 데이터 블록에서 오류가 발생한 비트의 위치를 나타내며, 오류가 발생한 비트와 연관되어 해당 오류를 수정하는 데 사용한다.
• 해밍 코드에서 신드롬은 일반적으로 패리티 비트와 데이터 비트의 XOR 연산을 통해 계산되며, 오류 검출 및 수정을 위해 사용한다.

 

💡 11. SDRAM은 보통의 DRAM과 어떻게 다른가?

• 동기식(Synchronous) 메모리: 데이터 전송 속도를 높이기 위해 주기적인 클록 신호에 따라 데이터 전송이 동기화된다.
• 파이프라인 구조(Pipelined Architecture): 데이터 전송이 병렬로 처리되는 구조로, 처리 속도가 더욱 빠르다.
• 데이터 전송 속도 향상: SDRAM은 일반 DRAM에 비해 높은 전송 속도를 제공하며, 주로 컴퓨터 메모리와 같은 고성능 응용 분야에서 사용된다.
• 자체적인 타이밍 제어: SDRAM은 자체적으로 타이밍을 제어하며, 시스템 버스 대역폭을 최적화하기 위해 데이터 버스와 주소 버스를 동시에 사용한다.

 

💡 12. DDR RAM은 어떤 것인가?

• 메모리에서 데이터를 더 빠르게 전송하기 위해 개발된 메모리 기술로, 한 클록 주기에 2번의 데이터 전송이 가능하다.
• 주로 고성능 컴퓨터 및 서버 등에서 사용된다.

 

💡 13. NAND와 NOR 플래시 메모리의 차이점은 무엇인가?

• 구조의 차이: NAND 플래시 메모리는 직렬(Serial) 구조를 가지며, NOR 플래시 메모리는 병렬(Parallel) 구조를 가진다.
• 읽기/쓰기 속도: NAND 플래시 메모리는 읽기/쓰기 속도가 빠르며, NOR 플래시 메모리는 읽기 속도가 빠르지만 쓰기 속도가 느리다.
• 비트 단위 접근 가능 여부: NAND 플래시 메모리는 블록 단위로만 접근 가능하며, NOR 플래시 메모리는 비트 단위로 접근 가능하다.
• 가격: NAND 플래시 메모리는 NOR 플래시 메모리에 비해 저렴하며, 대용량 스토리지에 주로 사용된다.

 

💡 14. 더욱 새로운 비휘발성 솔리드 스테이크 기억장치 기술 세 가지를 열거하고 간략히 정의하라

• NAND 플래시 메모리: 대용량 저장이 가능하고, 저렴한 가격으로 제공된다.
• NOR 플래시 메모리: 빠른 읽기 속도와 저전력 소비, 고속 랜덤 액세스 기능이 특징이다.
• FRAM (Ferroelectric Random Access Memory): 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 비휘발성 기억장치이다.